【東京/日野市】研究開発◇次世代半導体/SiC, GaNの研究開発／東証プライム上場のグローバルメーカー

～在宅勤務可！平均勤続年数20.4年／電気設備に関する知見をお持ちの方歓迎！世界のインフラを支える社会貢献度の高いポジション／独身寮･社宅、各種手当など福利厚生充実◎／東証プライム上場大手電機メーカー～

業務内容

車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発（基礎研究）ポジションです。 先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC、GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。入社後は、以下の業務内容からご経験に応じた業務を担当していただきます。まずは研究テーマの一部に従事し、理解度に応じて複数のテーマに取り組んでいただきます。将来的にはリーダーとしてメンバーをまとめるキャリアパスを描いていただく予定です。

■業務詳細：

・物性解析：電気的特性評価、分析的評価、第一原理計算等を用いて、材料物性に基づいたデバイス動作やプロセスに関わるメカニズム解明

・プロセス開発：物理現象や材料特性にもとづいて、デバイス特性向上のための先端的なプロセスを提案・検討し、改善指針を構築 ・デバイス設計

・試作・評価：SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価（電気特性、動作解析、信頼性評価等）

働き方

・在宅勤務制度あり（最大月に10日）
・残業：平均月20H程度

同社の特徴・魅力

・創業100年超え、古河電工と独・シーメンス社との合弁会社として設立。コア技術である「パワー半導体」と「パワーエレクトロニクス技術」の融合と、これまで培ってきたエンジニアリング・サービス、最適制御技術、IoTを組み合わせ、4つの事業を展開。幅広い事業領域と世界トップ級シェアをいくつも保有！確かな技術力で人々の生活に貢献。
・年間休日120日以上、平均勤続年数20.4年、ノー残業Day有、平均有休取得日数20日以上など、長く働きやすい環境。
・寮社宅制度や時短制度・在宅勤務制度など福利厚生も充実。女性活躍推進企業として、経済産業省と東京証券取引所が選定する「なでしこ銘柄」への選定や優良な子育てサポート企業として「プラチナくるみん」認定等、大企業ならではの充実したサポート体制。

応募要件

最終学歴：大学院、大学卒
必須要件（以下のいずれか）

・材料物性解析や分析評価の経験
・SiC、GaNに対するデバイス形成プロセス / パワー半導体デバイス研究開発経験
※第二新卒相当の方は大学・大学院での研究経験のみでも応募可能

【職種 / 募集ポジション】
【東京/日野市】研究開発◇次世代半導体/SiC, GaNの研究開発／東証プライム上場のグローバルメーカー
【雇用形態】
正社員
【給与】
年収 6,000,000円 〜 9,500,000円
月給30万円～月給50万円
(注)経験・能力などを考慮の上、決定いたします。
［賃金改定]年1回 6月改定
［賞与]年2回 6月、12月支給
【勤務地】
東京工場（東京都日野市富士町1番地）
【人事制度 （一例）】
評価制度
当社は「社員が生み出す価値や成長」をストレートに処遇に反映できる制度を導入しています。た
だし、成果といっても賃金のすべてが成果により決まるわけではありません。成果に至るまでにど
のように行動を起こし目標を達成したか、その過程についても評価の対象となります（行動特性評価制度）。
また、昇級には「社内選考会」を実施し、各人の能力、仕事の成果を公正に評価しています。

自己啓発・リフレッシュ支援制度
当社は社員の能力開発に積極的に取り組んでいます。業務に必要な教育はもちろん、業務に直接関
係の少ない自己啓発や余暇活動への支援（費用を負担）についても行っています。

会社情報

【会社名】
富士電機株式会社
【英文社名】
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
【代表者】
代表取締役会長CEO 北澤 通宏
【本社事務所】
〒141-0032
東京都品川区大崎一丁目11番2号
ゲートシティ大崎イーストタワー
【設立】
1923年8月29日
【従業員数】
26,955名
※2026年3月31日現在